27aDH-9 SiC上エピタキシャルグラフェンにおけるゼロエネルギーランダウ準位の分裂(グラフェン(電磁効果・電子相関),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 高瀬 恵子

  Ntt物性基礎研

関連論文

• 21pHV-8 量子ホール端状態におけるエッジマグネトプラズモンのマイクロ波伝搬特性(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aHV-4 半導体ポイント接合における表面弾性波ポテンシャルの時間分解測定(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-5 v=2/3スピン相転移の顕微フォトルミネッセンス(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-12 2層系v=1量子ホール系におけるスピン・擬スピン反転を含んだSU(4)skyrmionの観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-8 ν=1/2二層系における量子ホール状態とウィグナー結晶状態の競合 : 層間トンネリングの効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-4 量子ホール状態における電子波束伝播の時間分解測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 量子ホール効果とスピン--ランダウ準位交差におけるIsing量子ホール強磁性と電子スピン-核スピン相互作用
• 26aYG-8 InAs(111)A表面における不規則ポテンシャル誘起電子トラップの低温走査トンネル顕微鏡観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aTK-8 高ランダウ準位におけるストライプ・バブル相のフォトルミネセンス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-7 2層系v=1量子ホール状態におけるナイトシフト測定(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-12 傾斜磁場を用いた二層V_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 固体ナノ構造中における核スピン量子情報デバイス (特集 量子コンピュータ)
• NMRによる量子ホール傾角反強磁性状態におけるゴールドストーンモードの観測
• 25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-2 ナイトシフトによる2層量子ホール系の電子スピン偏極率測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-2 核スピンでみる半導体中二次元電子系 : 量子ホール系におけるスピン状態(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-11 縦結合二重量子細線におけるクーロンドラッグの観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-11 核スピン緩和を用いた2層系ν=2 canted antiferromagnet状態におけるGoldstone modeの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-3 GaAsナノデバイスを用いたν=2/3分数量子ホール状態におけるNMRスペクトルの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-10 GaAsナノ構造における核スピンのデコヒーレンス機構(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pZC-6 量子ホール系における核スピン制御(領域4シンポジウム,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-8 核スピン緩和速度によって測定された 2 層系ν=1 量子ホール状態における励起状態の電子密度差による変化(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-7 二重量子井戸におけるν=1/2 量子ホール状態の総電子密度・密度差依存性(量子ホール効果, 領域 4)
• 13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
• 29pYG-13 2層量子ホール系における強相関-弱相関相転移による電子スピン-核スピン相互作用の変化(量子ホール効果)(領域4)
• 29pYG-10 非対称ポテンシャルによる核スピン緩和速度の増大(量子ホール効果)(領域4)
• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
• 22aTL-9 非対称ポテンシャルによるν=2/3 核スピン偏極抑制効果の電流依存性
• 22aTL-8 ν=2/3 における単一ポテンシャル障壁によるヒステリシス
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
• 31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性
• 18aYJ-6 縦型円形量子ドットにおける準位交差と近藤効果
• 18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
• 18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
• 27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
• 23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
• 18pYH-6 分数エッジチャネルにおける電子スピン-核スピン相互作用
• 27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
• 24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
• 25pRP-5 量子ホール強磁性 : 量子ホール系を通して見るスピン物性(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-8 GaAs横型2重量子ドットにおける基底状態遷移に伴う動的核スピン偏極(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-4 量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン伝導の磁場依存性(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-3 電圧制御可能なエッジマグネトプラズモン共振器(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pTC-9 二層量子ホール系における擬スピン強磁性と磁気異方性
• 27pTC-8 量子ホール状態における電子スピン・核スピン相互作用の電子充填率依存性
• 23pSA-9 二層系量子ホール遷移におけるスピンと電荷分布の効果
• 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
• 24pWQ-4 擬スピン近藤効果に対する量子ポイントコンタクト検出のバックアクション(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWR-5 ν=1二層層系の電子密度差に対する安定性 : スピン自由度の効果(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-5 二重量子ドットにおける1電子・2電子領域でのキャパシタンス測定(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pRP-5 量子ホール強磁性 : 量子ホール系を通して見るスピン物性(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aL-10 二層系量子ホール効果におけるスカーミオン励起
• 24pD-5 高移動度試料における低ランダウ準位2層系量子ホール状態
• 18pYH-5 分数エッジチャネルによる核磁気共鳴の観測
• 26aHG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御 : トポロジカル絶縁領域の実現に向けて(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 25pHG-10 2重エッジマグネトプラズモン共振器における共鳴スペクトルの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-9 エッジマグネトプラズモン伝播測定によるゲート電極近傍のエッジチャネル構造解析(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-1 ν=2/3スピン相転移近傍での円偏光顕微フォトルミネッセンス(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-93 量子ポイント接合間における背景電荷ゆらぎの相関測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-11 量子ホール領域における量子ポイントコンタクトの高周波アドミッタンス測定(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHD-8 2重量子ドット中での不均一な動的核スピン偏極に伴う伝導の増大(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-13 半導体表面の周期的金属構造に関する時間分解表面弾性波伝搬スペクトル(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-10 電荷検出計を用いた単一電子2重量子ドットにおける電荷コヒーレント振動の観測(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-9 単一電子二重量子ドットにおける電荷状態のコヒーレント振動(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aL-9 二層量子ホール系におけるトンネリングとゼーマン効果の競合
• 24pD-4 二層量子ホール状態の電子配置と電子密度差に対する安定性
• 24aTR-8 量子ポイントコンタクト電流における電荷ノイズのウェハ構造依存性(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTM-6 ポテンシャルの時間分解測定による表面弾性波フォノン共振器特性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-5 半導体量子ポイント接合の非線形伝導における高調波歪み測定(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCE-9 量子ドットを用いたエッジマグネトプラズモンのエネルギー・時間分解測定(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-6 電圧パルス印加ゲート電極によるエッジマグネトプラズモン励起の局所占有率依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aSB-8 SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-4 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pCJ-8 分数量子ホール状態の実空間観察(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCE-4 半導体量子ドットの近藤領域における電流雑音特性(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-7 量子ホールエッジ状態間の分布キャパシタンス(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aBJ-11 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-11 3端子三重量子ドットの少数電子領域における伝導測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFB-6 量子ドットのコトンネリング領域におけるショット雑音測定(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFB-3 3端子3重量子ドットにおけるスピンブロッケードの協力的解除(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pFB-4 一電子二重量子ドットにおけるLandau-Zener遷移に伴う量子干渉(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEC-8 グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFB-8 量子ホールエッジチャネル間におけるクーロンドラッグの時間分解測定(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-3 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性II : バックゲートの効果(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク