モートにおける磁束排除効果の形状依存性の数値解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術,一般)
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概要
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本研究では時間依存Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値解析することにより,モートを形成した超伝導体薄膜におけるボルテックスの振る舞いを明らかにすることを目指す.ここでは外部磁場が0のときの超伝導転移後の超伝導体グランドプレーンにおいて,揺らぎにより生成されたボルテックスの軌道,速度,加速度のモート形状依存性について調査した.ボルテックスの生成された位置によりモートに向かい排斥される加速度の傾き,排斥軌道に違いがみられた.モート短辺の延長線二本の間の領域より外側で生成されたボルテックスはモートの角を避けるような軌道でモートへ排斥された.短辺延長線の間の領域で生成されたボルテックスは長辺に対して垂直な軌道でモートへ排斥された.ボルテックスの加速度の値は短辺の延長線間より外側にあるものほど加速度が小さくなり,短辺の延長線間にあるものではモートの長辺方向の位置に依存しないことが確認できた.
- 2012-10-18
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
井上 真澄
名古屋大学
-
井上 真澄
名大院工:jst-crest
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
藤巻 朗
名古屋大 大学院
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
伊藤 大
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
井上 真澄
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
溝口 翔太
名古屋大学大学院量子工学専攻
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