近接構造変化を考慮したパッケージ及び回路基板の部分インダクタンスの高速抽出法(回路,EMC,一般)
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概要
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多層プリント回路基板(Printed Circuit Board: PCB)において,クリアランス・ホールが集中したときには導体プレーン上にスリットが形成されるが,スリットにより帰路電流及び誘導電流が妨げられると,プレーンの自己部分インダクタンスが上昇する.デバイスの動作周波数上昇に伴い,こうした導体プレーンのインダクタンスによる影響が無視できなくなりつつある.本報告では,Stand Alone Package Modeling法の利用や解析的な電流密度表現の導入により,PCB導体プレーンの構造変化による部分インダクタンスの変化を高速に抽出する方法を検討した.
- 2011-06-17
著者
-
久門 尚史
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
和田 修己
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
松嶋 徹
岡山大学大学院自然科学研究科
-
松嶋 徹
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
和田 修己
京都大学大学院工学研究科
-
久門 尚史
京都大学
-
和田 修己
京都大学
-
松嶋 徹
京都大学大学院工学研究科
-
久門 尚史
京都大学大学院工学研究科
-
西本 太樹
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
西本 太樹
京大 大学院工学研究科
-
和田 修己
京都大学大学院工学研究科・電気工学
-
西本 太樹
京都大学大学院工学研究科
-
松嶋 徹
京都大学 大学院 工学研究科 電気工学専攻
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