時変抵抗を用いたLECCSモデルによるCMOS出力バッファの線形時不変解析(EMC対策/一般)
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概要
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本稿では,CMOS出力バッファの電源系ノイズの高速な時間領域シミュレーションのための新しい手法について提案した.まず,MOSトランジスタスイッチを線形時変抵抗であるとみなすことにより,CMOS出力バッファの線形時変モデルを導いた.次に,回路の遷移が速いという条件の下で,遷移行列を用いることにより線形時変モデルを線形時不変シミュレーションのみで解析できることを示した.したがって,時変シミュレーションが不要となり,シミュレーションを高速化できる.最後に,提案手法についていくつかの考察を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-20
著者
-
久門 尚史
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
和田 修己
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
和田 修己
京都大学大学院工学研究科
-
小山 敦
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
久門 尚史
京都大学
-
久門 尚史
京都大学大学院工学研究科
-
和田 修己
京都大学大学院工学研究科・電気工学
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