Nb接合回路プロセスにおけるエッチング技術 : Nb膜の反応性イオンエッチング(RIE)(デジタル,一般)
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概要
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Nb/AlO_x/Nb接合を用いた超伝導集積回路プロセスにおけるエッチング技術について報告する.Nb接合集積回路プロセスを最適化する際に得られたNb膜の反応性イオンエッチング(RIE)に関するノウハウ的な実験結果を紹介する.エッチング深さのRIE時間依存性,パターンシフト量の制御性,同一層内の短絡欠陥確率の評価などの実験結果の詳細を述べる.また,RIEプロセスにおけるプラズマ誘起電流が接合特性へ与える影響を検討する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-18
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