C-8-15 パルス周波数変調型3ビットRSFQ-D/A変換器による4段擬似正弦波形合成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
島田 宏
電気通信大学電気通信学部量子・物質工学科
-
水柿 義直
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
-
水柿 義直
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
前澤 正明
産業技術総合研究所
-
前澤 正明
電子技術総合研究所
-
守屋 雅隆
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
水柿 義直
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
黒岩 桂介
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
島田 宏
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
守屋 雅隆
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
黒岩 桂介
電気通信大学
-
島田 宏
電気通信大学
-
水柿 義直
電気通信大学
-
守屋 雅隆
電気通信大学
-
前澤 正明
産総研ナノエレクトロニクス研究部門
関連論文
- ニオブ集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(超伝導エレクトロニクス)
- Nb集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
- Nb/AlN_X/Nbジョセフソン接合による位相モード回路の新しい集積化法の検討
- 直流電流駆動結合SQUIDゲートとその順序回路への応用
- 抵抗接地位相モード論理回路の集積化
- 超伝導シナプス回路とそのA/Dコンバータへの応用
- 抵抗接地位相モード論理ゲートの試作
- C-8-2 単一磁束量子ポンプによるゼロクロッシング・ステップの生成
- 高周波磁束を用いた3接合SQUIDの量子状態制御とゼロバイアス電流ステップの生成
- C-8-4 電圧増倍回路の高臨界電流密度化設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-2 単一磁束量子回路セルライブラリの高臨界電流密度化(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- SC-8-3 単一磁束量子回路を用いた高精度デジタルアナログ変換器(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
- C-8-2 磁束量子パルス分配回路の設計と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-5 単一磁束量子回路の動作への外部磁場の影響
- 量子ビット用マルチチップモジュールへのSQUID応用(SQUID,一般)
- 量子ビット用マルチチップモジュールへのSQUID応用
- C-8-3 2ヶ所で接続された2層グラウンド間での磁束量子化と磁気遮蔽効果(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- Nb接合回路プロセスにおけるエッチング技術 : Nb膜の反応性イオンエッチング(RIE)(デジタル,一般)
- 単一磁束量子10ビットデジタル/アナログ変換器の設計
- Nb/AlO_x/Nb接合の特性電圧の評価
- 磁気結合型電圧増倍回路の設計・評価
- Nb/Al-AlO_x/Nbジョセフソン接合を用いたBi_2Sr_2CaCu_2O_8+δジョセフソンプラズマの検出
- C-8-2 Stacked-SQUIDを利用した電圧増倍回路の動作検証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- GAを用いた広帯域マイクロストリップ線路BPFの設計に関する一考察(移動通信ワークショップ)
- 単一磁束量子チップ間伝送回路の作製
- C-8-1 ヒステリシスのないジョセフソン接合を用いた間欠発振器に関する数値計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 分岐器と合流器を用いた単一磁束量子パルス数増倍器の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 SQUIDスタックを利用した電圧増倍回路セル(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-8-1 近似モデルを用いた超伝導薄膜積層構造のインダクタンス計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路の多段接続動作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-6 超伝導シールド層の接地間隔による相互インダクタンスの変化(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 超伝導シールド層の接地位置の違いによる相互インダクタンスの変化(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- NBCO超伝導薄膜上に堆積したNiO層の特性
- a軸配向NBCO下部電極を用いたランプエッジ接合の電気的特性
- 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路(デジタル,一般)
- C-8-2 非対称2接合SQUIDを用いたゼロ・クロス・ステップの生成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-1 超伝導体を島電極とする強磁性単電子トランジスタのスピン依存伝導特性(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-3 高次ステップを利用するSFQ電圧増倍回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- a軸配向NBCO薄膜を用いた膜厚変化形素子の作製1
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- フリップチップ接続による磁場結合方式に基づくSQUIDの評価(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- 集積型極低温電流比較器の提案(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- DA変換器応用を目指したパルス数可変増倍回路の設計と動作検証(SQUID,一般)
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した論理デバイスの特性
- RF磁界変調型SQUIDのスイッチングデバイス応用
- RF磁界駆動型SQUIDの高周波デバイス応用
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 (シリコン材料・デバイス)
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 (電子デバイス)
- 接地点を有する超伝導薄膜で磁気分離された超伝導ストリップライン間の相互インダクタンス
- C-1-16 2次元M型CIP法の数値分散に関する検討(C-1.電磁界理論,一般講演)
- 超伝導薄膜で磁気分離されたストリップライン間の相互インダクタンス(エレクトロニクス)
- C-8-3 Nb集積回路内の磁気シールド層による相互インダクタンス低減効果(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-1 高周波磁界駆動型 DC-SQUID の動作モード解析
- ホットエレクトロン効果を考慮した微小トンネル接合二次元アレーの微分コンダクタンス特性
- C-8-2 YBCO粒界ジョセフソン接合のマイクロ波応答に現れる電流ステップ状構造(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- 高温超伝導ジョセフソン接合の高周波磁界応答に関する SQUID モデルの数値解析
- Flux-Quantum Transitions in a Three-Junction SQUID Controlled by Two RF Signals(Special Issue on Superconductive Electronics)
- Numerical Evaluation for the High-Frequency Response of Josephson Junctions Having Finite Capacitance
- Linearization Analysis of Threshold Characteristics for Some Applications of Mutually Coupled SQUIDs (Special Issue on High-Temperature Superconductiong Electronics)
- 直接接地型位相モード論理回路
- 非対称2接合超伝導量子素子によるゼロ・クロッシング・ステップ生成(デジタル,一般)
- 16項 高周波磁界駆動SQUIDの非線形特性とその応用(4節 通研講演会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- Differential Conductance Properties of La_Sr_xCuO_4 Intrinsic Josephson Junctions under Magnetic Field
- 3接合SQUIDの単一磁束量子ポンプ動作と単一電子デバイスとの双対性
- 研究紹介 3接合SQUIDの単一磁束量子ポンプ動作と単一電子デバイスとの双対性
- Single-Electron Turnstile Locked to Charge Solitons in a One-Dimensional Array of Small Junctions
- Single-Electron Signal Modulator Designed for a Flash Analog-to-Digital Converter : Instrumentation, Measurement, and Fabrication Technology
- Switching Device Based on RF-Field-Driven High-Tc SQUID(Special Issue on Superconductive Electronics)
- Josephson Switching Device Utilizing the Quantum Transitions in a Superconducting Quantum Interference Device Loop
- Magnetic Isolation on a Superconducting Ground Plane
- 磁束量子遷移を利用した結合SQUIDリングオシレータ動作周波数の評価
- Phase-Mode Circuits for High-Performance Logic(Special Issue on Superconductive Electron Devices and Their Applications)
- 磁束量子遷移を利用したリングオシレータ動作周波数の評価方法
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した超伝導量子干渉素子の静特性
- Binary Counter with New Interface Circuits in the Extended Phase-Mode Logic Family (Special Issue on Toward Digital and Analog Applications of Superconductors)
- 高電流密度ジョセフソン接合のVm値の解析的表現
- Neuro-Base Josephson Flip-Flop
- C-8-2 Nb超伝導集積チップでの抵抗体の発熱による温度上昇の評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測
- DA変換器応用を目指したパルス数可変増倍回路の設計と動作検証
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 26aHD-1 微小ジョセフソン接合列間の電流誘引現象(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- C-8-15 パルス周波数変調型3ビットRSFQ-D/A変換器による4段擬似正弦波形合成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-14 6ビット単一磁束量子パルス数可変増倍回路の設計と動作検証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 (超伝導エレクトロニクス)
- C-8-7 非対称2接合SQUIDでのゼロ・クロッシング・シャピロ・ステップを利用した両極性ディジタル-アナログ変換器の試作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-5 アンダーダンプ接合でのSFQ反射を利用する電圧増倍器の増倍率評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- SFQパルス周波数変調に基づく電圧波形合成回路(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
- 6-bit可変型SFQパルス数増倍回路の設計と動作検証 (超伝導エレクトロニクス)
- SFQパルス周波数変調に基づく電圧波形合成回路
- C-8-2 強磁性体-超伝導体-強磁性体電極を持つ単一電子トランジスタにおけるトンネル磁気抵抗比の温度依存性(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 6-bit可変型SFQパルス数増倍回路の設計と動作検証(超伝導エレクトロニクス基盤技術,一般)
- アンダーダンプ接合でのSFQ反射を利用する1000倍電圧増倍器の動作検証(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
- 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関(機能ナノデバイス及び関連技術)