SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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サブミクロンAl接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に決めることが必要である.そこで、このデバイスパラメータを1つのデバイスで実験的に求めることのできる電流注入型SQUIDを試作した.その結果、SQUIDの接合がもつ容量とインダクタンスによる共振ピークと臨界電流変調周期から、Al接合容量をはじめとするデバイスパラメータを求めることができた.今回の測定では54〜170fF/μm^2となり、過去の他の方法で求められたAl接合容量報告値と同様の結果を得ることが出来た.
- 2011-10-05
著者
-
島田 宏
電気通信大学電気通信学部量子・物質工学科
-
水柿 義直
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
-
水柿 義直
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
守屋 雅隆
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
水柿 義直
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
島田 宏
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
守屋 雅隆
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
菊池 健人
電気通信大学大学院電子工学専攻
-
島田 宏
電気通信大学
-
水柿 義直
電気通信大学
-
菊池 健人
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
守屋 雅隆
電気通信大学
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