SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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サブミクロンAl接合をもつデバイス作製にあたっては、接合容量をはじめ、抵抗やインダクタンスのデバイスパラメータを正確に決めることが必要である.そこで、このデバイスパラメータを1つのデバイスで実験的に求めることのできる電流注入型SQUIDを試作した.その結果、SQUIDの接合がもつ容量とインダクタンスによる共振ステップと臨界電流変調周期から、Al接合容量をはじめとするデバイスパラメータを求めることができた.今回の測定では54〜170fF/μm^2となり、過去の他の方法で求められたAl接合容量報告値と同様の結果を得ることが出来た.
- 2011-02-16
著者
-
島田 宏
電気通信大学電気通信学部量子・物質工学科
-
水柿 義直
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
-
水柿 義直
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
守屋 雅隆
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
水柿 義直
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
島田 宏
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
守屋 雅隆
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
菊池 健人
電気通信大学大学院電子工学専攻
-
島田 宏
電気通信大学
-
水柿 義直
電気通信大学
-
菊池 健人
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
守屋 雅隆
電気通信大学
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