RF磁界変調型SQUIDのスイッチングデバイス応用
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概要
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RF磁界変調型DC SQUID(RFDS)は規格化周波数<1において単接合素子とくらべて大きなRF誘起ステップを発生することができる。RFDSは印加直流磁束が0のときに偶数次、0.5φ_0のときに奇数次のステップのエンハンスされるというステップ次数の選択性を有している。この効果によりRFDSの出力は直流磁束に対して定電圧レベル間をスイッチングすることになる。RFDSはSNS接合で実現できるため高温超伝導体の新しい電圧モードデバイスとして期待できる。最適なRFDSスイッチング特性を得るRF SQUIDループ電流と直流バイアスの条件をシミュレーションによって調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-20
著者
-
中島 健介
山形大学大学院理工学研究科
-
中島 健介
東北大通研
-
山下 努
東北大未来セ
-
中島 健介
弘前大学理工学部
-
水柿 義直
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
-
水柿 義直
東北大通研, 科技団・戦略研
-
水柿 義直
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
山下 努
弘前大 理工
-
近藤 忠之
仙台電波高専
-
水柿 義直
東北大通研 科技団・戦略研
-
中島 健介
山形大学大学院・理工学研究科
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