電子ビーム照射によるSi基板上YBCO Josephson接合の高周波特性
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概要
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集束電子ビーム照射によりYBa_2Cu_3O_<7-y>(YBCO)薄膜ジョセフソン接合をSi基板上に作製した。YBCO薄膜は、Si基板上にY_2O_3/YSZのバッファ層を電子ビーム蒸着法で成膜した後DCアグネトロンスパッタリングにより成膜した。接合は、EDTAによるウェットエッチングにより形成した幅2〜5μm、長さ10μmのYBCO薄膜ブリッジの中央付近に走査透過型電子顕微鏡(STEM)を用いて加速エネルギー200keVの集束電子ビームを照射しウィークリンクを導入して作製した。作製した接合は、RSJ-likeな電流(I)一電圧(V)特性を示し、臨界電流の磁場変調も観測された。20GHzの電磁波を照射した時のI-Vカーブの微分(dV/dI)特性は最高応答電圧が約4mVまで観測され、約2THzの高周波に対して応答が可能である事を示唆した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-24
著者
-
中島 健介
山形大学大学院理工学研究科
-
陳 健
南京大学電子科学工学科
-
陳 健
東北大通研
-
中島 健介
弘前大学理工学部
-
明連 広昭
東北大通研
-
明連 広昭
埼玉大
-
山下 努
物・材機構
-
金 相宰
東北大学 電気通信研究所
-
明連 広昭
東北大学 電気通信研究所
-
陳 健
東北大学 電気通信研究所
-
中島 健介
東北大学 電気通信研究所
-
山下 努
東北大学 電気通信研究所
-
金 相宰
物質材料研究機構
-
山下 努
弘前大 理工
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