MgO基板上への高温超伝導ランプ型接合の作製とミリ波・サブミリ波特性
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概要
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我々はSrTiO_3(STO)バッファ層を用いてMgO基板上に高温超伝導ランプ型接合の作製に成功し、これらの接合のミリ波・サブミリ波領域における特性を測定した。STOバッファ層を用いることによりMgO基板上にSTO基板上の接合作製時と同じ作製条件で薄膜を堆積でき、その結果PrBa_2Cu_3Ga_xO_7-δ(PBCGO)バリア層とYBa_2Cu_3O_7-δ(YBCO)上部電極の品質がMgOに直接堆積した場合に比較して向上した。接合は、ミリ波(100GHz)とサブミリ波(0.762GHz)の信号照射に対して明瞭なシャピロステップを示した。また、17KにおいてSTOバッファ層をもうけたMgO基板上のランプ型接合のジョセフソン発振(50GHz)を観測した。測定された発振強度と発振線幅の値はは低温金属系の接合で得られる値と同程度であった。さらに、ミリ波とサブミリ波における自己発振を局部発振源としたジョセフソン自己発振ミキシングを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-22
著者
-
陳 健
南京大学電子科学工学科
-
陳 健
東北大通研
-
陳 健
東北大学電気通信研究所
-
山下 努
東北大学電気通信研究所
-
明連 広昭
東北大通研
-
明連 広昭
埼玉大
-
明連 広昭
東北大学電気通信研究所、科学技術復興事業団
-
Amatuni L
Low temperature Division, Faculty of Applied Phsics, University of Twente
-
Sonnenberg A.H.
Low temperature Division, Faculty of Applied Phsics, University of Twente
-
Gerristima G.J.
Low temperature Division, Faculty of Applied Phsics, University of Twente
-
Rogalla H.
Low temperature Division, Faculty of Applied Phsics, University of Twente
-
L Amatuni
Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
-
A.H Sonnenberg
Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
-
G.J Gerristima
Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
-
H Rogalla
Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
-
山下 努
弘前大 理工
-
L Amatuni
Low Temperature Division Faculty Of Applied Physics University Of Twente
-
Amatuni L
Low Temperature Division Faculty Of Applied Phsics University Of Twente
-
H Rogalla
Low Temperature Division Faculty Of Applied Physics University Of Twente
-
Rogalla H.
Low Temperature Division Faculty Of Applied Phsics University Of Twente
-
A.h Sonnenberg
Low Temperature Division Faculty Of Applied Physics University Of Twente
-
Sonnenberg A.h.
Low Temperature Division Faculty Of Applied Phsics University Of Twente
-
G.j Gerristima
Low Temperature Division Faculty Of Applied Physics University Of Twente
-
Gerristima G.j.
Low Temperature Division Faculty Of Applied Phsics University Of Twente
-
山下 努
東北大学電気通信建研究所
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