La_<2-x>Sr_xCuO_4単結晶ブリッジ中の磁束量子運動
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概要
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La_<2-x>Sr_xCuO_4単結晶中にc軸に平行なマイクロブリッジを作製し、一定の電流の下、試料に対する印加磁界の方向を変えながらブリッジに発生する電圧を測定した。発生電圧の角度依存性において、ab面と磁界が平行になる付近で電圧の著しい増加が見られた。低温、低磁界でのピーク電圧は、超伝導揺らぎ等の散逸を含まず、ボルテックスの運動により生じた電圧である。これより求められたボルテックスの速度vは、Bi_2Sr_2CaCu_2O_δ単結晶で得られている値よりも非常に小さい。集合的磁束クリープモデルで発生電圧の変化を説明できることから、試料中に点欠陥状の非常に弱いピンニングセンターが存在することが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-28
著者
-
中島 健介
山形大学大学院理工学研究科
-
中島 健介
東北大学電気通信研究所
-
山下 努
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
中島 健介
弘前大学理工学部
-
兒嶋 弘直
山梨大工
-
兒嶋 弘直
山梨大学工学部附属無機合成研究施設
-
立木 隆
東北大学電気通信研究所
-
田中 功
山梨大学工学部
-
田中 功
山梨大院医工
-
山下 努
東北大学未来科学技術共同研究センター:科学技術振興事業団戦略的基礎研究推進事業
-
中島 健介
山形大学大学院・理工学研究科
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