接地点を有する超伝導薄膜で磁気分離された超伝導ストリップライン間の相互インダクタンス
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概要
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接地点を有する超伝導薄膜で磁気分離された2本の超伝導ストリップライン間の相互インダクタンスについて,その実験結果及び数値計算結果について報告する.実験ではNbジョセフソン集積技術で作製された超伝導量子干渉素子(SQUID)を用いて,ストリップライン間の相互インダクタンスを測定した.接地点の有無,数,位置による磁気分離効果の違いを調べるため,4種類のテスト回路を設計した.実験の結果,磁気分離用超伝導薄膜が接地されていないテスト回路と比べて,接地点を1箇所設けたテスト回路と,ストリップラインと垂直の方向に接地点を2箇所設けたテスト回路では,磁気分離効果の向上は見られなかった.一方,ストリップラインと平行の方向に接地点を2箇所設けたテスト回路においては,相互インダクタンスが67%減少し,磁気分離効果の向上が確認された.3次元構造インダクタンス抽出プログラム"FastHenry"を用いて相互インダクタンスを計算したところ,実験結果を再現することができた.数値計算で得られた磁気分離超伝導薄膜内の電流分布から,ストリップラインと平行の方向に接地点を2箇所設けたテスト回路では,シールド電流の増加により磁気分離効果が向上することが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-07-20
著者
-
水柿 義直
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
-
水柿 義直
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
柏 竜太
電気通信大学
-
水柿 義直
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
水柿 義直
電気通信大学
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