C-8-3 サブミクロンAI接合SQUIDの量子干渉パターンに見られる帯電効果の影響(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
ニオブ集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(超伝導エレクトロニクス)
-
Nb集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
-
C-8-2 単一磁束量子ポンプによるゼロクロッシング・ステップの生成
-
C-8-3 2ヶ所で接続された2層グラウンド間での磁束量子化と磁気遮蔽効果(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
GAを用いた広帯域マイクロストリップ線路BPFの設計に関する一考察(移動通信ワークショップ)
-
C-8-1 ヒステリシスのないジョセフソン接合を用いた間欠発振器に関する数値計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-8-2 分岐器と合流器を用いた単一磁束量子パルス数増倍器の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-8-3 SQUIDスタックを利用した電圧増倍回路セル(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
C-8-1 近似モデルを用いた超伝導薄膜積層構造のインダクタンス計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-8-8 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路の多段接続動作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-8-6 超伝導シールド層の接地間隔による相互インダクタンスの変化(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-8-2 超伝導シールド層の接地位置の違いによる相互インダクタンスの変化(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
-
NBCO超伝導薄膜上に堆積したNiO層の特性
-
a軸配向NBCO下部電極を用いたランプエッジ接合の電気的特性
-
2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路(デジタル,一般)
-
C-8-2 非対称2接合SQUIDを用いたゼロ・クロス・ステップの生成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
-
C-8-1 超伝導体を島電極とする強磁性単電子トランジスタのスピン依存伝導特性(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
-
C-8-3 高次ステップを利用するSFQ電圧増倍回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
-
a軸配向NBCO薄膜を用いた膜厚変化形素子の作製1
-
強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
-
強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
-
DA変換器応用を目指したパルス数可変増倍回路の設計と動作検証(SQUID,一般)
-
接地点を有する超伝導薄膜で磁気分離された超伝導ストリップライン間の相互インダクタンス
-
C-1-16 2次元M型CIP法の数値分散に関する検討(C-1.電磁界理論,一般講演)
-
超伝導薄膜で磁気分離されたストリップライン間の相互インダクタンス(エレクトロニクス)
-
C-8-3 Nb集積回路内の磁気シールド層による相互インダクタンス低減効果(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
-
C-8-1 高周波磁界駆動型 DC-SQUID の動作モード解析
-
ホットエレクトロン効果を考慮した微小トンネル接合二次元アレーの微分コンダクタンス特性
-
C-8-2 YBCO粒界ジョセフソン接合のマイクロ波応答に現れる電流ステップ状構造(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
-
高温超伝導ジョセフソン接合の高周波磁界応答に関する SQUID モデルの数値解析
-
非対称2接合超伝導量子素子によるゼロ・クロッシング・ステップ生成(デジタル,一般)
-
16項 高周波磁界駆動SQUIDの非線形特性とその応用(4節 通研講演会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
-
3接合SQUIDの単一磁束量子ポンプ動作と単一電子デバイスとの双対性
-
C-8-2 Nb超伝導集積チップでの抵抗体の発熱による温度上昇の評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
C-8-15 パルス周波数変調型3ビットRSFQ-D/A変換器による4段擬似正弦波形合成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-8-14 6ビット単一磁束量子パルス数可変増倍回路の設計と動作検証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
-
C-8-5 アンダーダンプ接合でのSFQ反射を利用する電圧増倍器の増倍率評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
SFQパルス周波数変調に基づく電圧波形合成回路(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
-
SFQパルス周波数変調に基づく電圧波形合成回路
-
C-8-2 強磁性体-超伝導体-強磁性体電極を持つ単一電子トランジスタにおけるトンネル磁気抵抗比の温度依存性(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-8-3 サブミクロンAI接合SQUIDの量子干渉パターンに見られる帯電効果の影響(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
-
6-bit可変型SFQパルス数増倍回路の設計と動作検証(超伝導エレクトロニクス基盤技術,一般)
-
アンダーダンプ接合でのSFQ反射を利用する1000倍電圧増倍器の動作検証(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
-
超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
C-8-2 量子電流ミラー効果に基づく微小電流の整数倍器(C-8.磁気記録・情報ストレージ,一般セッション)
-
C-8-16 非対称SQUIDの平衡3進配列を用いた3ビット・ディジタルー両極性アナログ電圧変換器の試作(C-8.超伝導エレクトロニクス)
-
C-8-15 DC/SFQ変i換器をSFQ入力に用いた1000倍電圧増倍回路の増倍率評価(C-8.超伝導エレクトロニクス)
-
C-8-17 AVAIOX/V Josephsoni接合を用いた単一Cooper対素子(C-8.超伝導エレクトロニクス)
-
微小トンネル接合列の離散的な電荷特性を利用した単一電子シュミットトリガの設計(半導体材料・デバイス)
-
磁場応答が非対称なジョセフソン接合でのゼロ・クロッシング・シャピロ・ステップ生成(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク