水柿 義直 | 電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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水柿 義直
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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水柿 義直
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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水柿 義直
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
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水柿 義直
電気通信大学
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水柿 義直
東北大通研 科技団・戦略研
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守屋 雅隆
電気通信大学
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守屋 雅隆
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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守屋 雅隆
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
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島田 宏
電気通信大学電気通信学部量子・物質工学科
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島田 宏
電気通信大学
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小林 忠行
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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小林 忠行
電通大 大学院電気通信学研究科
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守屋 雅隆
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
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島田 宏
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
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小林 忠行
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
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小林 忠行
電気通信大学大学院 電気通信学研究科 電子工学専攻
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前澤 正明
産業技術総合研究所
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中島 康治
東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設
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水柿 義直
東北大学電気通信研究所
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前澤 正明
電子技術総合研究所
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中島 康治
東北大学電気通信研究所
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前澤 正明
産総研ナノエレクトロニクス研究部門
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河合 章生
電気通信大学
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柏 竜太
電気通信大学
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田中 丈之
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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滝口 将志
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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滝口 将志
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
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田中 丈之
電気通信大学
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菊池 健人
電気通信大学大学院電子工学専攻
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菊池 健人
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
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山下 努
東北大学電気通信研究所
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小野美 武
東北大学電気通信研究所
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小野美 武
東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設 ナノ・スピン実験施設
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山下 努
東北大 電通研
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齋藤 淳
東北大学大学院 工学研究科
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小野 美武
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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黒岩 桂介
電気通信大学
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陳 健
南京大学
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斎藤 淳
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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斎藤 淳
電気通信大学
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田村 伸行
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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Yamashita Tsutomu
Recearch Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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Yamashita Tsutomu
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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Yamashita T
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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黒岩 桂介
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
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Yamashita T
Hirosaki Univ. Hirosaki Jpn
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山下 努
東北大学電気通信建研究所
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中島 康治
東北大学電気情報通信研究所ブレインウェア実験説:東北大学電気情報通信研究所ナノ・スピン実験施設
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陳 健
南京大学電子科学工学科
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YAMASHITA Tsutomu
Research Institute of Electrical Communication Tohoku University
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速水 翔太
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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大塚 正喜
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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菊池 健人
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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NAKAJIMA Koji
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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Nakajima Kensuke
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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Yamashita T
The Graduate School Of Engineering Science And The Liquid Crystal Institute Science University Of To
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Nakajima Koji
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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水柿 義直
電通大情報理工
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Yamashita Tetsuo
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Tohoku University
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佐藤 裕介
電気通信大学
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和田 光司
電気通信大学電子工学科
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安藤 芳晃
電気通信大学大学院電子工学専攻
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宇佐美 興一
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
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山下 努
東北大学 電気通信研究所
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小野 美武
東北大学電気通信研究所
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小野美 武
東北大学 電気通信研究所
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水柿 義直
東北大学 電気通信研究所
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中島 康治
東北大学 電気通信研究所
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澤田 康次
東北大学電気通信研究所
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谷井 宏成
電気通信大学
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安藤 芳晃
電気通信大学
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和田 光司
電気通信大学
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小林 忠行
電通大・電気通信・電子工学科
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生田目 洋子
電気通信大学
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前澤 正明
独立行政法人 産業技術総合研究所
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安藤 芳晃
電気通信大学電子工学科
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宇佐美 興一
電気通信大学
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守屋 雅隆
電通大
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陳 健
Research Institute of Superconductor Electronics (RISE), Department of Electronic Science & Engineer
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MIZUGAKI Yoshinao
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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YAMASHITA Tsutomu
the Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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佐藤 英毅
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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MIZUGAKI Yoshinao
Department of Microelectronics and Nanoscience, Chalmers University of Technology
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ONOMI Takeshi
the Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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MIZUGAKI Yoshinao
the Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, T
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NAKAJIMA Koji
the Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, T
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Onomi T
Laboratory For Brainware Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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水柿 義直
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
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Mizugaki Yoshinao
Department Of Electronic Engineering The University Of Electro-communications
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門脇 正樹
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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石田 千尋
電通大情報理工
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島田 宏
電通大情報理工
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Yamashita Tsutomu
The Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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佐藤 裕介
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
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瀧澤 宏幸
電通大
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高橋 義隆
電気通信大学
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Nakajima Koji
The Laboratory for Brainware/Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
著作論文
- ニオブ集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(超伝導エレクトロニクス)
- Nb集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
- 直流電流駆動結合SQUIDゲートとその順序回路への応用
- 抵抗接地位相モード論理回路の集積化
- 超伝導シナプス回路とそのA/Dコンバータへの応用
- 抵抗接地位相モード論理ゲートの試作
- C-8-3 2ヶ所で接続された2層グラウンド間での磁束量子化と磁気遮蔽効果(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 Stacked-SQUIDを利用した電圧増倍回路の動作検証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- GAを用いた広帯域マイクロストリップ線路BPFの設計に関する一考察(移動通信ワークショップ)
- C-8-1 ヒステリシスのないジョセフソン接合を用いた間欠発振器に関する数値計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 分岐器と合流器を用いた単一磁束量子パルス数増倍器の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 SQUIDスタックを利用した電圧増倍回路セル(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-8-1 近似モデルを用いた超伝導薄膜積層構造のインダクタンス計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路の多段接続動作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- DA変換器応用を目指したパルス数可変増倍回路の設計と動作検証(SQUID,一般)
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した論理デバイスの特性
- 接地点を有する超伝導薄膜で磁気分離された超伝導ストリップライン間の相互インダクタンス
- ホットエレクトロン効果を考慮した微小トンネル接合二次元アレーの微分コンダクタンス特性
- C-8-2 YBCO粒界ジョセフソン接合のマイクロ波応答に現れる電流ステップ状構造(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- 高温超伝導ジョセフソン接合の高周波磁界応答に関する SQUID モデルの数値解析
- Linearization Analysis of Threshold Characteristics for Some Applications of Mutually Coupled SQUIDs (Special Issue on High-Temperature Superconductiong Electronics)
- 直接接地型位相モード論理回路
- 磁束量子遷移を利用したリングオシレータ動作周波数の評価方法
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した超伝導量子干渉素子の静特性
- Binary Counter with New Interface Circuits in the Extended Phase-Mode Logic Family (Special Issue on Toward Digital and Analog Applications of Superconductors)
- 高電流密度ジョセフソン接合のVm値の解析的表現
- Neuro-Base Josephson Flip-Flop
- C-8-2 Nb超伝導集積チップでの抵抗体の発熱による温度上昇の評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 26aHD-1 微小ジョセフソン接合列間の電流誘引現象(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- C-8-15 パルス周波数変調型3ビットRSFQ-D/A変換器による4段擬似正弦波形合成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-14 6ビット単一磁束量子パルス数可変増倍回路の設計と動作検証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- C-8-7 非対称2接合SQUIDでのゼロ・クロッシング・シャピロ・ステップを利用した両極性ディジタル-アナログ変換器の試作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-5 アンダーダンプ接合でのSFQ反射を利用する電圧増倍器の増倍率評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- SFQパルス周波数変調に基づく電圧波形合成回路(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
- SFQパルス周波数変調に基づく電圧波形合成回路
- C-8-2 強磁性体-超伝導体-強磁性体電極を持つ単一電子トランジスタにおけるトンネル磁気抵抗比の温度依存性(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 6-bit可変型SFQパルス数増倍回路の設計と動作検証(超伝導エレクトロニクス基盤技術,一般)
- アンダーダンプ接合でのSFQ反射を利用する1000倍電圧増倍器の動作検証(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
- 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関(機能ナノデバイス及び関連技術)