高電流密度ジョセフソン接合のVm値の解析的表現
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概要
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ジョセフソン接合の高電流密度化は、接合容量Cjを低減し、超伝導デバイスの性能(高速性や低ノイズ性)を向上させることから、特にNb/AlOx/Nb接合においてその研究が盛んである。接合の品質を評価するパラメータとして、最大ジョセフソン電流IcとI-V特性上のサブギャップ抵抗との積であるVm値がよく用いられる。しかし高電流密度化によりCjが減少するとヒステリシスが小さくなり、I-V特性上の直流電流成分は増加する。そこで、高Cjかつ低Cjである接合のVm値について指標を与えるために、Vm値の解析的表現について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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中島 康治
東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設
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水柿 義直
東北大学電気通信研究所
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水柿 義直
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
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水柿 義直
電気通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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水柿 義直
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
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水柿 義直
東北大通研 科技団・戦略研
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中島 康治
東北大学電気通信研究所
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