イオンビームスパッタCeO_2をバッファ層とするサファイア基板上に形成したYBCO薄膜の配向性制御
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概要
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CeO_2バッファ層を用いたサファイア基板上に基板温度と成膜速度を変化させることにより、YBCO薄膜の配向をコントロールすることを試みた。バッファ層のCeO_2薄膜をイオンビームスパッタリング(IBS)法で作製し、その上に堆積したYBCO膜のTc, Jcより、バッファ層の最適条件を検討した。その基板上に基板温度700°C、成膜速度5Å/minで作製したYBCO薄膜はc軸配向を示し、Tce, Jcの最高値はそれぞれ89K、1.25×10^6A/cm^2であった。基板温度が610°C以下、成膜速度が10Å/min以上の条件でa-軸YBCO薄膜が得られた。温度傾斜法で高Tc化を行い85KのTcを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-28
著者
-
守屋 雅隆
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
宇佐美 興一
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
小林 忠行
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
守屋 雅隆
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
後藤 俊成
Department Of Electronic Engineering
-
後藤 俊成
電気通信大学通信工学科
-
後藤 俊成
電気通信大
-
宇佐美 興一
電気通信大学
-
小林 忠行
電通大 大学院電気通信学研究科
-
姜 友松
電気通信大学電子工学科
-
久慈 宝人
電気通信大学
-
守屋 雅隆
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
小林 忠行
電気通信大学大学院 電気通信学研究科 電子工学専攻
-
守屋 雅隆
電気通信大学
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