ホロー陰極直流放電プラズマ酸化による金属ー絶縁物ー半導体型トンネルエミッタ用Si酸化膜の形成
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概要
著者
-
守屋 雅隆
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
宇佐美 興一
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
守屋 雅隆
電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻
-
宇佐美 興一
電気通信大学
-
三宅 英太郎
Department of Electronic Engineering
-
三宅 英太郎
電気通信大学電子情報学科
-
守屋 雅隆
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻
-
守屋 雅隆
電気通信大学
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