Bi系高温超伝導膜への電界効果
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概要
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絶縁体としてSrTiO_3バルク(基板)を用いて超伝導体-絶縁体-金属構造の素子を作製した。超伝導体(BSCCO膜)のTcは33K、Jcは4.2Kで8.2×10^3A,cm^2である。素子にゲート電圧を印加すると、正常抵抗が変化し、その割合は誘導電荷の値により説明することができた。T=4.2Kで、電流を100μA流したとき約20%の抵抗変化率がみられた。この変化は正常抵抗の変化よりずっと大きく、超伝導特性が変化していると考えられる。ゲート電圧を変えたときの抵抗-温度特性から、Tcの変化は、+0.09K(V_G=-300V)および-0.17K(V_G=+300V)相当と見積もられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-22
著者
-
宇佐美 興一
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
小林 忠行
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
後藤 俊成
Department Of Electronic Engineering
-
後藤 俊成
電気通信大学通信工学科
-
後藤 俊成
電気通信大
-
宇佐美 興一
電気通信大学
-
小林 忠行
電通大 大学院電気通信学研究科
-
鈴木 亮一
電気通信大学電子情報学科
-
岩淵 信
電気通信大学電子情報学科
-
小林 忠行
電気通信大学大学院 電気通信学研究科 電子工学専攻
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