YBCO薄膜を用いたブリッジ形弱結合素子の特性
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概要
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膜の作製には化学量論的な123組成のターゲットを用いてDCホロー陰極スパッタ法によって研磨したMaO(100)基板上に厚さ100-300nm程度のYBCO膜を堆積させる.スパッタガスAr+5%O_2,スパッタガス圧820mTorr,基板温度700℃でTczero=87Kのc軸配向膜が得られた.本研究は結晶粒界を用いない,ブリッジ部を局部的に薄くした膜厚変化形ブリッジ(VTB)素子の実現を目的としている.今回我々は,ホトリソグラフィとAlの斜め蒸着と低エネルギーイオンビームエッチングを用いて85-410nmの微細加工を行いVTB素子を作製し,マイクロ波(9.67GHz)およびミリ波(94GHz)を印加する実験を行った結果,ミリ波まで応答することが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-02-25
著者
-
小林 忠行
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
後藤 俊成
Department Of Electronic Engineering
-
後藤 俊成
電気通信大学通信工学科
-
後藤 俊成
電気通信大
-
小林 忠行
電通大 大学院電気通信学研究科
-
朴 賛勲
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
小林 忠行
電気通信大学大学院 電気通信学研究科 電子工学専攻
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