YBCO薄膜を用いたSIN接合の特性
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概要
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イオンビームスパッタ法(IBS)により超伝導膜YBCO, 絶膜バリアSTO/Au構造を形成し,接合の電流-電圧特性の測定を行った.下部電極YBCO,バリアSTO厚さはそれぞれ150nm,80〜36nmである.積層構造に主に用いたYBCO膜はC軸配向でTc〜70Kのものであった.試料は稀HCIによりYBCO/STO表面エッチングを行い,形成した接合は酸素雰囲気中の低温(400℃)での熱処理など絶縁向上や劣化を防ぐ対策を試みた.電圧-電圧特性及び微分特性の測定により接合を評価した.STOバリアの厚さ36nmの試料では状態密度に対応すると見られる微分抵抗の極小値が電圧バイアス22mVで観測され,このSIN接合の界面は比較的良好な特性を有していると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-05
著者
-
小林 忠行
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
後藤 俊成
Department Of Electronic Engineering
-
後藤 俊成
電気通信大学通信工学科
-
後藤 俊成
電気通信大
-
小林 忠行
電通大 大学院電気通信学研究科
-
蔡 旭陽
電気通信大学
-
小林 忠行
電気通信大学大学院 電気通信学研究科 電子工学専攻
-
蔡 旭陽
電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科
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