イオンビームスパッタリングによるSrTiO_3/YBa_2Cu_3O_<7-x> ヘテロ構造の形成と特性
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概要
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基板付近の酸素圧を高めたイオンビームスパッタ法を用いて、STO/YBCOヘテロ構造を作成し、その特性を測定した。660℃で堆積した厚さ400nmのSTO膜において、77.4Kと4.2Kにおけるリーク電流が10^<-9>Aオーダーのゲート電圧範囲はほぼ対称で、±25Vであった。また500℃で堆積したSTO膜の4.2Kにおける比誘電率・絶縁耐圧積ε_<γS>E_<BD>とε_<γD>E_<BD>は、それぞれおよそ2.2×10^8V/cm、1.4×10^8V/cmとなった。STOを積層した10nm厚のYBCO膜の劣化は少なく、電界効果素子への応用の可能性が示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-24
著者
-
宇佐美 興一
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
小林 忠行
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
-
後藤 俊成
Department Of Electronic Engineering
-
後藤 俊成
電気通信大学通信工学科
-
後藤 俊成
電気通信大
-
宇佐美 興一
電気通信大学
-
小林 忠行
電通大 大学院電気通信学研究科
-
蔡 旭陽
電気通信大学
-
齋藤 達也
電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科
-
小林 忠行
電気通信大学大学院 電気通信学研究科 電子工学専攻
-
蔡 旭陽
電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科
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