DCおよびRF二重陰極スパッタリング装置によるGe薄膜
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概要
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The effects of negative DC substrate bias voltage on target current, condensation rate and electrical characteristics of deposited Ge films prepared by DC and RF double cathode sputtering system were investigated.<BR>The target current and the condensation rate increased with the substrate bias voltage but the electrical characteristics of the deposited Ge films deteriorated due to the bombardment of Ar ions accelerated by this voltage.<BR>By introducing another axiliary electrode and keeping the substrate potential equal to anode potential during deposition, the electrical characteristics of these films did not deteriorate.
- 日本真空協会の論文
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