a軸配向YBCO薄膜を用いた積層構造トンネル接合の作製とその特性の評価
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概要
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a軸配向YBa_2Cu_3O<7-δ>(YBCO)薄膜を用いた積層型SIS接合を作製しその特性を検討した.PrGaO_3(PGO)とCeO_2の2層バリア構造を用いることが電気的短絡を防ぐことに有効であることがわかった.バリアPGO50ÅとCeO225ÅのSIS接合でジョセフソン電流が観測されたが, 臨界電流と接合抵抗の温度依存性はSIS接合よりSNS接合に近いものであった.下部電極YBCO膜の表面をイオンビームクリーニングした接合はヒステリシス電流を有する電圧-電流特性を示し, 臨界電流と接合抵抗を考察した結果, ジョセフソン電流はトンネル効果によることが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-01
著者
-
小林 忠行
電気通信大学電気通信学部電子情報学科
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後藤 俊成
Department Of Electronic Engineering
-
後藤 俊成
電気通信大学通信工学科
-
後藤 俊成
電気通信大
-
小林 忠行
電通大 大学院電気通信学研究科
-
姜 友松
電気通信大学電子工学科
-
小林 忠行
電気通信大学大学院 電気通信学研究科 電子工学専攻
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