01aA14 昇華法による高品質1インチAlN単結晶の成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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High-quality 1-inch diameter AlN crystals have been successfully grown on SiC substrate by sublimation method. Crystalline quality was evaluated by X-ray diffraction and EPD measurement. It was found that crystalline quality of 1-inch diameter crystals was superior as well as that of 10mm diameter crystals whose properties had already been reported.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
藤原 伸介
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
川瀬 智博
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
水原 奈保
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
宮永 倫正
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
中幡 英章
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
藤原 伸介
住友電気工業
-
中幡 英章
住友電気工業
-
川瀬 智博
住友電気工業株式会社
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