03aA04 化合物半導体バルク結晶成長技術の現状と将来(バルク成長シンポジウム(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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III-V and II-VI compound semiconductor crystals are key materials as substrates for optical and high-frequency electronic devices. Mass production and development of novel growth techniques for GaAs, InP, ZnSe and GaN crystals in Sumitomo Electric Industries, Ltd. will be reviewed in view of the present and the future of the compound semiconductor crystal growth technology.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
龍見 雅美
住友電気工業(株)伊丹研究所半導体材料研究部
-
川瀬 智博
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
藤田 慶一郎
住電半導体材料株式会社
-
龍見 雅美
住友電気工業株式会社:福井工業大学
-
藤田 慶一郎
住友電気工業(株):住電半導体材料(株):(現)独立行政法人科学技術振興機構jstイノベーションプラザ宮城
-
藤田 慶一郎
住友電気工業(株)
-
龍見 雅美
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
藤田 慶一郎
住電半導体材料(株)
-
川瀬 智博
住友電気工業株式会社
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