GaAsエレクトロニクス-7-1982年エビアン国際会議(エレクトロニクス・ジャ-ナル)
スポンサーリンク
概要
著者
-
藤田 慶一郎
住電半導体材料株式会社
-
藤田 慶一郎
住友電気工業(株):住電半導体材料(株):(現)独立行政法人科学技術振興機構jstイノベーションプラザ宮城
-
藤田 慶一郎
住友電気工業(株)
-
藤田 慶一郎
住電半導体材料(株)
関連論文
- 03aA04 化合物半導体バルク結晶成長技術の現状と将来(バルク成長シンポジウム(2),第36回結晶成長国内会議)
- VCZ法によるGaAs単結晶の成長(バルク結晶の成長(II))
- 低転位密度HB法GaAs単結晶の育成(バルク成長(II))
- GaAs結晶の育成と加工(半導体素子 : 材料とプロセス技術)
- GaAsエレクトロニクス-7-1982年エビアン国際会議(エレクトロニクス・ジャ-ナル)
- 半絶縁性GaAsの結晶成長 : 融液成長 : 完全性
- HB法による50mmφ低転位密度半絶縁性GaAsの開発
- 【一般解】 : 大学の役割(会員の声)
- 2009年日本結晶成長学会賞受賞者紹介
- 第7回日中シンポジウム「結晶成長の科学と技術」報告 : 中国訪問印象記
- 低濃度In添加HB法による低転位GaAs結晶
- 材料開発シーズ・イノベーション物語(15)山あれば谷あり,谷深ければ山高し--化合物半導体結晶成長の研究開発から事業化ひと筋36年