c軸配向多結晶LiNbO_3(LiTaO_3)/ダイヤ/Si構造を伝搬するSAWに関する理論計算

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概要

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ダイヤモンドは材料中最高の音速を有しており、高周波SAWデバイスの基板材料への応用が考えられる。これまでの報告例では、圧電体薄膜材料としてZnOあるいはAINが選択され、ZnO/ダイヤモンド、AIN/ダイヤモンド、あるいはZnO/ダイヤモンド/Si等の積層構造に関して検討されている。これらの構造では、10,000m/sを越える伝搬速度が可能であり、電気機械結合係数も1〜5%と大きくなることが確認されている。一方、単結晶のSAW基板材料として最も広く用いられているLiNbO_3及びLiTaO_3に関しては、その薄膜形成に関する研究成果が最近報告されており、異種基板上へのc軸配向膜あるいはエピタキシャル膜の形成が可能になってきている。ダイヤモンド基板上にこれらの圧電性薄膜を成長できれば、より優れた特性を発揮できる可能性があり、今回理論計算による検討を行った。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

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