A-228 SiO_2/ZnO/ダイヤモンド構造を伝搬するSAWに関する理論計算(A-11. 超音波,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-05
著者
-
中幡 英章
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
鹿田 真一
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
-
藤井 知
住友電気工業(株)ITコンポーネント事業部
-
八郷 昭広
住友電気工業株式会社研究開発部門
-
桧垣 賢次郎
住友電気工業株式会社 伊丹研究所
-
藤森 直治
産総研
-
藤森 直治
住友電気工業株式会社
-
八郷 昭宏
住友電気工業 伊丹研
-
中幡 英章
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
中幡 英章
住友電気工業
-
桧垣 賢次郎
住友電気工業 伊丹研
-
藤森 直治
住友電気工業 伊丹研
-
藤森 直治
住友電気工業
-
鹿田 真一
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
八郷 昭広
住友電気工業 伊丹研
関連論文
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- B-2 超音波共鳴スペクトロスコピーによるCVDダイヤモンド薄膜の弾性定数測定(材料・計測,口頭発表)
- 01aA14 昇華法による高品質1インチAlN単結晶の成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- ダイヤモンド弾性表面波フィルタ
- ダイヤモンド高周波SAWフィルタへの応用
- ダイヤモンド膜ヒートシンクへの応用
- ダイヤモンドのエレクトロニクスへの応用における最近の進展
- ダイヤモンド SAW デバイス
- P3-40 ZnO/ダイヤ系構造のSAWパラメータ(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-33 ダイヤモンドの微粒化によるダイヤモンドSAWデバイスの低損失化(ポスターセッション3,ポスター発表)
- PF03 SiO_2/ZnO/ダイヤモンド構造によるGHz帯SAWデバイス(ポスターセッションI)
- 高調波を用いたSiO2/ZnO/ダイヤモンド構造による10GHzSAWフィルタ
- PC-9 高調波を用いたZnO/Diamond構造SAWフィルタ
- ダイヤモンドSAWデバイス(2)
- 技術解説 ダイヤモンドSAWデバイス(1)
- ダイヤモンドSAWフィルタ
- 2.488Gbps光通信用ダイヤSAWフィルタ
- -40℃〜+85℃動作小型2.4Gb/s 3R光受信モジュール
- PE5 SiO_2/IDT/ZnO/ダイヤ構造のSAW特性検討(ポスターセッション1)
- ダイヤモンドSAWフィルターの特性と応用
- ZnO/ダイヤモンドSAWフィルタの耐電力性
- PF7 3インチφダイヤモンドSAW基板の開発(ポスターセッション3)
- ダイヤモンドSAWフィルター
- SiO_2/ZnO/ダイヤモンド/Si構造SAWフイルタの検討
- ダイヤモンド/Si基盤を用いた1.5GHz帯トランスバーサル型SAWフイルタ
- ダイヤモンド膜SAWデバイス
- 7p-YH-5 ダイヤモンドホモエピタキシャル膜の表面構造
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT (電子デバイス)
- ダイヤモンド基板を用いたSAW共振器型フィルタの基礎検討
- A-227 ダイヤモンド基板を用いたSAW共振器型フィルタの基礎検討(A-11. 超音波,一般講演)
- K4 (ZnO/ダイヤモンド/Si)構造のGHz帯SAWフィルターの検討(弾性表面波デバイス)
- ダイヤモンドのエレクトロニクス応用
- ダイヤモンド薄膜の合成と応用
- 28p-ZF-7 ダイヤモンドエピタキシャル表面のSTM観察
- ダイヤモンド気相合成法の現状と展望 : その他
- CVD による表面改質技術(既存材料の新素材化シリーズ)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 落下塔を利用した低圧力プラズマ診断法による微小重力下プラズマ不安定性の研究
- SFUによる気相成長基礎実験 -微小重力下におけるプラズマCVD実験の結果速報-
- SAWフィルタ用ダイヤモンドウェハ
- 2.5Gbps光通信用ダイヤSAWフィルタ
- c軸配向多結晶LiNbO_3(LiTaO_3)/ダイヤ/Si構造を伝搬するSAWに関する理論計算
- A-228 SiO_2/ZnO/ダイヤモンド構造を伝搬するSAWに関する理論計算(A-11. 超音波,一般講演)
- ECR-CVDによる絶縁膜とデバイスプロセスへの応用
- 気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高周波SAWフィルタ-の開発-2-
- 気相ダイヤモンド薄膜を用いた高周波SAWフィルタ-の開発
- 22pTB-2 電気二重層トランジスタによる水素終端ダイヤモンドの絶縁体-金属転移(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高周波SAWフィルタの耐電力性
- CVD ダイヤモンド膜の異方性弾性定数の測定とマイクロメカニクスモデリング
- SiO_2/ZnO/ダイヤモンド構造を伝搬するSAWに関する理論計算
- ダイヤモンド薄膜の形成とデバイス応用
- ダイヤモンドの工業応用
- ギガヘルツ帯ダイヤモンドSAWフィルタ・共振器の開発
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
- TiCを被覆したJT-60第一壁材料の開発 [II] : TP-CVD法によるモリブデン基材へのコーティング
- ダイヤモンドの特性と応用
- ダイヤモンド薄膜コ-ティング (セラミックスの接合とコ-ティング)
- 単結晶ダイヤモンドを使った1ポートSAW共振子の高Q化
- CVDダイヤモンドの機能的展開 (2000年特集号 ニューダイヤモンド今世紀の軌跡と21世紀への展望) -- (第2部 新世紀に向けてのブレークスルー)
- ダイヤモンドは半導体デバイスとしてものになるか?--5年後には実用化(!?),具体化への模索つづく
- ダイヤモンドの気相合成技術とその応用 (化学産業における新技術--誕生と生い立ち)
- 新しいダイヤモンドの世界を開く--ダイヤモンド薄膜 (セラミックスニュ-フェ-ス)