SiO_2/ZnO/ダイヤモンド構造を伝搬するSAWに関する理論計算

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
高音速材料であるダイヤモンドはGHz帯の高周波域でSAWデバイスヘ応用することが考えられる。既にこれまで、圧電体材料であるZnO膜とダイヤモンド膜の積層構造に着目して、理論計算及び実験による検討を行ってきており、10,000m/sにも及ぶ伝搬速度や電気機械結合係数を評価してきている。また、中心周波数温度係数についても、-28ppm/℃の値が得られている。ところで、逆符号の温度係数を持つ材料を積層することで零温度係数を達成できることが、SiO_2/LiTaO_3やSiO_2/LiNbO_3等の積層構造で既に報告されている。SiO_2はZnOやダイヤモンドとは逆符号の温度係数を持っており、SiO_2/ZnO/ダイヤモンドの積層構造でも同様に温度係数を零に近づけることが期待される。今回、SiO_2/ZnO/ダイヤモンド構造を伝搬するSAWの遅延時間温度係数(TCD)、伝搬速度、電気機械結合係数(K^2)について計算した結果を報告する。
電子情報通信学会の論文
1994-09-26

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク