ZnSeバルク成長(<小特集>基板結晶)
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概要
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青色領域および白色発光素子用の基板としてZnSeバルク単結晶成長技術の開発を進めた.成長方法として導電性ZnSeを得ることが出来るCVT法を選択した.この方法ではガス対流による原料ガス輸送が安定成長を阻害するので,回転CVT法を開発してガス対流の抑制を図った.更に温度分布の最適化を進めることによって直径30mm,厚み25mmの大型ZnSe単結晶の成長に成功した.転位密度に関しては,5×10^3〜3×10^4cm^<-2>程度とLED等の発光素子用基板としては十分に低い転位密度を実現した.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-03-31
著者
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