シリコン基板上に作製した配向性AIN薄膜の広帯域及び高温における圧電応答性
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概要
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Highly c-axis-oriented aluminum nitride (AlN) thin films were prepared on silicon single crystal substrates by rf magnetron sputtering technique. The piezoelectric responses of the AlN films were evaluated under frequencies of 0.1Hz to 1.5MHz at room temperature. The response showed a good flat gain and a small phase delay under frequencies of 1Hz to 1.5MHz. Furthermore the AlN output signal was ascertained under a pressure of 0.2MPa and a frequency of 1Hz at 700℃. The piezoelectric response of the AlN films hardly changed in the temperature range from 25 to 700℃. It is confirmed that the AlN thin films have a good possibility for a wide-band pressure sensor under high temperatures.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2006-08-01
著者
-
秋山 守人
産業技術総合研究所九州センター 生産計測技術研究センター プロセス計測チーム
-
大石 康宣
(独)産業技術総合研究所 生産計測技術研究センター
-
岸 和司
(独)産業技術総合研究所 生産計測技術研究センター
-
大石 康宣
産業技術総合研究所 生産計測技術研究センター
-
岸 和司
産業技術総合研究所 生産計測技術研究センター
-
諸藤 ゆかり
産業技術総合研究所 生産計測技術研究センター
-
野間 弘昭
産業技術総合研究所実環境計測・診断研究ラボ
-
秋山 守人
産業技術総合研究所基礎素材研究部門
-
秋山 守人
産総研九州センター
-
秋山 守人
産業技術総合研
-
野間 弘昭
産業技術総合研究所基礎素材研究部門
-
野間 弘昭
産業技術総合研究所
-
秋山 守人
産業技術総合研究所九州センター
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