レーザービーム加熱を利用した半導体デバイスの解析手法 : OBIRCH法の現状と今後
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概要
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OBIRCH技術の最新の応用開発例をふたつ紹介した。ひとつめは、I_<DDQ>の電流経過を非破壊で検出し観測できる初めての実用的技術である。5mm□という広い範囲で電流経路を検出した後、狭い視野に絞り込み、その物理的原因箇所の検出まで可能である。5V電源で50μA、3V電源で30μA、1.5V電源で20μAをチップ裏面から電流像として検出・観測することに成功した。ふたつめは、TEMでの観察を行わない限りその物理的実体を確認できないほどの極薄寸法の高抵抗箇所を、非破壊で特定できる技術である。OBIRCH像の明コントラスト部に、TEMで初めて認識可能な数nm程度の薄いアモルファス層の存在が確認された。
- 日本信頼性学会の論文
- 1997-06-10
著者
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