LSIチップ故障解析技術の現状と将来
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概要
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短期間の限られた納期内に高歩留でかつ信頼性の高い製品を作るためには、故障解析技術は必要不可欠なキーテクノロジーである。本講演ではその中でもシリコン半導体集積回路のチップ上の故障解析に限定して、その技術動向と最新の事例について概観する。その際の視点としては、実用性という観点から見て現実に使われている技術を主体にし実用化の可能性の高いものを付け加える程度とする。実用化の可能性がまだ見えていない技術には触れない。ここで取り上げる主な解析手法はEMMS (emission microscopy、エミッション顕微鏡法),OBIC (optical beam induced current),LCM (liquid crystal method、液晶法)、(eIectron beam probing、電子ビームプロービング),FIB (focused ion beam、集束イオンビーム)である。最後に今後の動向について、現在までのトレンドを基に検討する。また、最近提案された手法もいくつか紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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