作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
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概要
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我々は走査レーザSQUID顕微鏡のLSI検査・故障解析への適用にむけ研究、開発を行っている。今回まずロジック回路評価用TEG試料複数個に対して、走査レーザSQUID顕微鏡による観測を行った。その結果、同一観測条件ではそれらの試料で磁場強度像、磁場位相像の再現性が確認された。次に再現性が確認された試料に対して、集束イオンビーム(FIB)装置を用いて断線箇所の作りこみを実施した。断線箇所を作りこんだ試料に対し走査レーザSQUID顕微鏡観測を行った。その結果、従来困難であると考えられてきた走査レーザSQUID顕微鏡による観測のみで、試料内の断線箇所を絞り込める場合があることを確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-20
著者
-
二川 清
NECエレクトロニクス
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二川 清
Necエレクトロニクス株式会社 テスト評価技術開発事業部
-
酒井 哲哉
Necエレクトロニクス株式会社 テスト評価技術開発事業部
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酒井 哲哉
Necエレクトロニクス
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