3.1 OBIRCH (Optical Beam Induced Resistance CHange)法の発展経緯・現状・将来展望(セッション3「故障解析・デバイス(2)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
OBIRCH法では、レーザビームでLSIチップ上を走査しながら加然した際の配線などの抵抗変化を画像化することにより、電流経路や各種欠陥が可視化できる.IR-OBIRCH法は、LSIチップ裏面側からの解析が可能なため、応用範囲はさらに広い.LSIテスタとのリンクによりI_<DDQ>異常LSI、さらには多くの機能不良LSIの解析も可能となった.銅配線のエレクトロマイグレーション試験結果の解析、プロセス開発での欠陥解析にも使われている.派生技術も有効に使われている.検出限界、感度向上策なども議論が始まり、将来に向けた対策にも道が見えてきている.
- 日本信頼性学会の論文
- 2003-11-25
著者
関連論文
- レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるMOSトランジスタの観察(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
- レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡のLSI故障解析への応用
- レーザーテラヘルツ放射顕微鏡のLSI故障解析への応用
- CS-11-3 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡とLSI不良解析への応用(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
- レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるMOSトランジスタの観察(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
- 作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
- 作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
- 3-4 不良作り込みICチップを用いた走査レーザSQUID顕微鏡での故障個所絞り込み可能性の検討(セッション3 LSIの故障解析-2)(日本信頼性学会第17回秋季信頼性シンポジウム報告)
- 3-4 不良作り込みICチップを用いた走査レーザSQUID顕微鏡での故障個所絞り込み可能性の検討(セッション3 LSIの故障解析(2),第17回秋季信頼性シンポジウム)
- 2-3 走査レーザSQUID顕微鏡による256MDRAMの観測(日本信頼性学会第12回研究発表会発表報文集)
- 3.1 OBIRCH (Optical Beam Induced Resistance CHange)法の発展経緯・現状・将来展望(セッション3「故障解析・デバイス(2)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 3-1 OBIRCH (Optical Beam Induced Resistance CHange) 法の発展経緯・現状・将来展望
- 2.3 ウェハ裏面からの観測が可能なレーザSQUID顕微鏡(セッション2「故障解析2」)
- LSIにおける故障解析技術
- レーザービーム加熱を利用した半導体デバイスの解析手法 : OBIRCH法の現状と今後
- 2-1 LSI故障解析研究会活動状況報告(セッション2「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面」)
- CT-2-1 LSI不良・故障解析技術の現状とレーザSQUID顕微鏡の適用(CT-2. SQUID先端検査技術の実用化を目指して,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-12-32 LSI故障診断用走査レーザSQUID顕微鏡観測画像のシミュレーション(C-12.集積回路ABC,一般講演)
- LSI故障解析手法における最近10年の進展(「信頼性・保全性・安全性の事例:材料・部品・デバイス編」〜信頼性ハンドブック出版から10年を経て〜)
- 光を用いたLSIの故障解析技術(故障物理と信頼性)
- 走査レーザSQUID顕微鏡によるLSIの検査・故障解析
- 2.3ウェハ裏面からの観測が可能なレーザSQUID顕微鏡(セッション2「故障解析2」)(日本信頼性学会第11回研究発表会報告)
- LSIの故障解析技術の最近の動向
- LSI故障解析における光の復権