レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるMOSトランジスタの観察(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
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概要
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我々は新しい手法の半導体デバイス検査装置であるレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)の提案を行い、不良箇所絞り込み技術としての応用を目指して開発を進めている。LTEMは、フェムト秒レーザーパルスで走査した半導体デバイスから放射されるテラヘルツ電磁波の振幅のマッピングを行う装置であり、集積回路内の電界分布を非接触で測定することが可能である。これまでに良品と断線部位を有する動作状態のオペアンプについてLTEM像比較を行った結果、断線箇所周辺でLTEM像のパターンに明瞭な差異を確認している。本研究では無バイアス電圧下でも使用可能なデバイス故障箇所絞込み技術の開発を目指して、無バイアス電圧下においてTEG内のMOSFETのLTEM観察を行った。その結果、pn接合の空乏層から放射されるテラヘルツ電磁波の検出に成功し、MOSFET内の配線の一部を断線させた場合には、放射されるテラヘルツ電磁波の時間波形が反転することが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-20
著者
-
大谷 知行
理研
-
斗内 政吉
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
-
大谷 知行
理化学研究所 テラヘルツイメージング研究チーム
-
川瀬 晃道
理化学研究所
-
大谷 知行
理化学研究所
-
山下 将嗣
理化学研究所
-
二川 清
NECエレクトロニクス
-
二川 清
大阪大学大学院情報科学研究科情報システム工学専攻
-
大谷 知行
理化学研究所 宇宙放射線研究室
-
二川 清
Necエレクトロニクス(株)
-
Tani M
Research Center For Superconductor Photonics Osaka University
-
Tonouchi Masayoshi
Powersource And Device Development Daihen Corporation
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