LTEMを用いたLSI故障解析技術の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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我々はレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)を用いた半導体大規模集積回路(LSI)の不良箇所絞り込み技術の開発を目指して研究を進めている.LTEMとは,フェムト秒レーザーパルスで試料を走査することにより放射されるテラヘルツ(THz)電磁波の振幅のマッピングを行う装置であり,LSIを観察した場合には,回路内部の光電流経路およびその時間変化を反映したTHz電磁波の振幅像が得られる.従来技術がLSIを動作状態で評価する必要があったのに対して,LTEMを用いた不良箇所絞込み技術の特徴は,無バイアス下での使用が可能な点であり,製造工程途中などより幅広い段階で利用が期待される.本報告では無バイアス電圧下におけるMOSFETの断線検出について紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-01
著者
-
大谷 知行
理研
-
大谷 知行
理化学研究所 テラヘルツイメージング研究チーム
-
大谷 知行
理化学研究所
-
山下 将嗣
理化学研究所
-
OTANI Chiko
Terahertz Sensing and Imaging Laboratory
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