アンチドットを形成したYBCO薄膜における超伝導電流分布の観測
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概要
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テラヘルツ電磁波イメージングによりアンチドットを形成したYBCO薄膜における超伝導電流分布を観測した。直径2μmのアンチドットを、膜厚100nm、幅120μmのYBCO薄膜に点間4∼12μmでArイオンミリングを用いて作成した。超伝導電流分布の、バイアス電流0∼460mAによる依存性、0.9mT磁場下、印加磁場0.9mTと25mTでの残留磁化状態における温度依存性を観測し、ストリップラインとアンチドット形成部とを比較した。アンチドット形成部における超伝導電流分布はストリップラインよりもエッジ近くまで広がり、侵入磁束密度はドット間距離に強い影響を受ける事が観測された。また、温度依存性についてもストリップラインとアンチドット形成部とで分布に著しい差があった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-29
著者
-
萩行 正憲
阪大レーザー研
-
萩行 正憲
大阪大学超伝導フォトニクス研究センター
-
山下 将嗣
理化学研究所
-
本 昭宏
大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
-
西條 人司
大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
-
斗内 政吉
大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
-
山下 将嗣
大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
-
鋪田 和夫
大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
-
萩行 正憲
大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
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