高ドープ導電性高分子ポリピロールのテラヘルツ時間領域分光解析 : ドーピングレベル依存性(ポリマー光回路,光機能材料,一般)
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概要
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導電性高分子は高分子主鎖上にπ共役系が高度に発達した高分子であり、中でもポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロールなどは、高ドープ状態において金属的な振る舞いを示すことが知られている。また近年はテラヘルツデバイスへの応用も提案されている。本研究では、ドーピングレベルの異なる高ドープ・ポリピロールの光学的性質を、テラヘルツ時間領域分光法により詳細に解析したので報告する。
- 2010-03-08
著者
-
萩行 正憲
阪大レーザー研
-
松井 龍之介
三重大学 工学研究科 電気電子工学専攻
-
松井 龍之介
三重大学工学研究科電気電子工学専攻:三重大学極限ナノエレクトロニクスセンター
-
萩行 正憲
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
-
谷 正彦
福井大学遠赤外領域開発研究センター
-
萩行 正憲
阪大超伝導セ
-
古屋 岳
福井大学遠赤外領域開発研究センター
-
山本 晃司
福井大学遠赤外領域開発研究センター
-
山本 晃司
株式会社東芝研究開発センターマルチメディアラボラトリー
-
山本 晃司
(独)石油天然ガス・金属鉱物資源機構 技術センター
-
谷 正彦
福井大
-
高野 恵介
阪大レーザー研
-
大槻 祐也
三重大学工学研究科電気電子工学専攻
-
須藤 良太
福井大学遠赤外領域開発研究センター
-
高野 恵介
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
-
古屋 岳
福井大学 遠赤外領域開発研究センター
-
山本 晃司
福井大学遠赤センター
-
谷 正彦
福井大学遠赤センター
-
松井 龍之介
三重大学工学研究科:三重大学極限ナノエレクトロニクスセンター
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