強誘電体薄膜を用いたテラヘルツ波制御の提案(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
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概要
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近年, テラヘルツテクノロジーの発展とともに, テラヘルツ電磁波の外部制御に対する要望も高まりつつある. そこで今回, 強誘電体薄膜に電界印加することにより, テラヘルツ電磁波の制御を試みたので報告する. 強誘電体は電界印加することによりその誘電率が変化することから, 薄膜を透過するテラヘルツ電磁波は印加電界の大きさにより変調を受けることになる. 強誘電体薄膜はPLD法によりMgO基板上に作製し, 薄膜上にギャップ5μmの櫛型電極を形成した. その結果, 膜厚1μmのチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を用いて100V電圧印加した場合, 11%程度のテラヘルツ電磁波透過光強度の変化が確認された.
- 2005-02-24
著者
-
斗内 政吉
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
-
村上 博成
阪大レーザー研
-
斗内 政吉
大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター
-
川山 巌
大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター
-
村上 博成
大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター
-
小谷 研太
大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター
-
Tani M
Research Center For Superconductor Photonics Osaka University
-
Tonouchi Masayoshi
Powersource And Device Development Daihen Corporation
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