ポンプ-プローブ・レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による低温成長ガリウム砒素(LT-GaAs)光伝導スイッチのキャリアダイナミクスに関する研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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我々は、電子材料の高速キャリアダイナミクスを二次元的に評価可能なツールとして、フェムト秒パスルレーザー照射により試料から放射されるテラヘルツ電磁波を利用するポンプ-プローブ・レーザーテラヘルツ放射顕微鏡(PP-LTEM)の開発を行ってきた。このPP-LTEMでは、ポンプレーザー励起後の試料の局所的または瞬間的なキャリアダイナミクスおよびその二次元的な変化の様子を時間軸に沿ってイメージすることが可能である。今回この顕微鏡を使って、代表的なテラヘルツ波発生素子である低温成長ガイウムヒ素(LT-GaAs)上のダイポール型光伝導スイッチを試料に用いて、サブピコ秒の時間分解能・数マイクロメートルの空間分解能で観察したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-09
著者
-
村上 博成
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
-
斗内 政吉
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
-
Tani M
Research Center For Superconductor Photonics Osaka University
-
Tonouchi Masayoshi
Powersource And Device Development Daihen Corporation
-
斗内 政吉
阪大
-
藤原 昌悟
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
-
川山 巖
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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