CS-11-1 テラヘルツ工学の新展開(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-03-07

著者

• 斗内 政吉

  大阪大学レーザーエネルギー学研究センター

• 斗内 政吉

  大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター

関連論文

• InAs薄膜からの高強度THz波放射の膜厚依存性
• 26aYF-1 高誘電体絶縁膜を用いた単結晶有機FETにおける界面制御と物性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-18 単結晶BaTiO_3高誘電体を用いた有機FETの物性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• DAST結晶を用いた広帯域THz-TDSシステムによる配向カーボンナノチューブフィルムのテラヘルツ応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• テラヘルツ波発生用非線形光学結晶の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ポンプ-プローブレーザー走査テラヘルツ放射顕微鏡の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 26pZK-8 自発分極光変調によるBiFeO_3薄膜からのテラヘルツ波発生(テラヘルツ領域における非線形光学・高密度励起現象の新展開,領域4,領域5,領域8合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• テラヘルツエレクトロニクス (応用物理分野におけるアカデミック・ロードマップ)
• テラヘルツ動作超伝導フォトニックデバイスの開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 1.5μm帯フェムト秒レーザー励起による非線形有機結晶からのテラヘルツ波発生と時間領域分光装置への応用(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• 有機非線形光学結晶を用いたフェムト秒光パルス励起テラヘルツ電磁波発生
• 超短パルスレーザーを用いた有機結晶からのTHz波発生(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• 28aXA-4 量子常誘電体SrTiO_3における非線形テラヘルツ分光(誘電体の光制御・光応答,新光源・新分光法,領域5,領域10合同,領域5,光物性)
• テラヘルツ科学技術の最前線
• テラヘルツエレクトロニクス
• レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるMOSトランジスタの観察(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
• レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡のLSI故障解析への応用
• ジョセフソン磁束量子フロートランジスタの交流特性(エレクトロニクス)
• 強誘電体薄膜を用いたテラヘルツ波制御の提案(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 強誘電体薄膜を用いたテラヘルツ波制御の提案
• 有機非線形光学結晶を用いたレーザー走査型テラへルツイメージングシステムの開発(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• C-4-1 1.5μm帯フェムト秒レーザー励起による有機非線形光学結晶からのテラヘルツ波発生と広帯域テラヘルツ分光装置への応用(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-2 YBCOナノブリッジを用いた高速光スイッチングデバイスの開発(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.5μm帯励起用InGaAs光伝導アンテナのテラヘルツ波放射検出特性(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 1.5μm帯励起用InGaAs光伝導アンテナのテラヘルツ波放射検出特性
• レーザーテラヘルツ放射顕微鏡のLSI故障解析への応用
• CS-11-3 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡とLSI不良解析への応用(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
• レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるMOSトランジスタの観察(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
• 最近の技術から 集積回路評価用レーザーテラヘルツ放射顕微鏡の開発 ("開拓"進むテラヘルツ領域)
• レーザーテラヘルツ放射顕微鏡の開発とLSI故障解析への応用 (特集:最近のテラヘルツ技術の動向)
• C-8-8 高温超伝導体ジョセフソン接合を用いた新規THz波検出器の開発(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• 21pWF-1 フェムト秒パルスレーザー照射したYBCOジョセフソン接合の光応答(21pWF 磁束量子系II(ジョセフソン接合,トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 高感度磁束量子検出システムの開発
• 22pYD-9 酸素量をコントロールしたYBCO薄膜のテラヘルツ電磁波放射および分光特性(超伝導体・強相関系,領域5(光物性))
• 22aYD-2 テラヘルツ時間領域分光法によるSrTiO_3薄膜の誘電特性評価(領域5,領域10合同 誘電体の光制御・光学応答,領域5(光物性))
• CS-7-2 フォトミキシング及びジョセフソン接合を用いたTHz波発生・検出システムの開発(CS-7. 超伝導サブテラヘルツエレクトロニクス, エレクトロニクス2)
• Measurement of pH in Fluidic Chip Using a Terahertz Chemical Microscope
• 19pPSB-36 マルチフェロイクスBiFeO_3薄膜の超高速分光(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 18aZB-10 フェムト秒光パルス励起によるBiFeO_3薄膜の光アシスト分極反転(強相関係・低次元物質・誘電体・磁性体,領域5,光物性)
• 18pXG-6 SrTiO_3薄膜におけるテラヘルツ領域誘電応答の広帯域検出と膜厚依存性(領域10,領域5合同 誘電体・誘電体の光制御,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26pZK-8 自発分極光変調によるBiFeO_3薄膜からのテラヘルツ波発生(領域4,領域5,領域8合同シンポジウム:テラヘルツ領域における非線形光学・高密度励起現象の新展開,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 幻の科学技術立国
• 酸素欠損YBCO薄膜からのテラヘルツ電磁波放射特性
• 29pWF-14 YBCO 薄膜における超高速光応答のキャリアドープ依存性
• 強相関電子系材料からのテラヘルツ電磁波放射と関連物性
• Study on Sub-THz Signal Input for Superconducting Electronic Devices(Innovative Superconducting Devices and Their Applications)
• フォトミキサーと高温超伝導ジョセフソン接合を用いたサブテラヘルツ波の発生・検出システム(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• フォトミキサーと高温超伝導ジョセフソン接合を用いたサブテラヘルツ波の発生・検出システム
• Detection of Pulsed Terahertz Waves Using High-Temperature Superconductor Josephson Junction
• Terahertz Time Domain Spectroscopy for Structure-II Gas Hydrates
• アンダードープ高温超伝導体のテラヘルツ電磁波応答及び放射特性
• C-8-4 超伝導デバイス中の磁束観測に向けたレーザービーム走査型磁気光学顕微鏡の開発(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• テラヘルツ波技術が拓く新産業 : その課題と展望
• 「先端研究施設共用イノベーション創出事業」"高強度レーザーが拓く光科学新産業"
• 5.テラヘルツ時間領域分光法(テラヘルツテクノロジー-未知の電磁波がもたらすブレークスルー-)
• テラヘルツ波技術の現状と展望
• テラヘルツテクノロジーの将来展望
• CS-11-1 テラヘルツ工学の新展開(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
• 高速光スイッチングデバイス開発に向けたYBCOジョセフソン接合およびナノブリッジの光応答計測(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
• 磁気光学法による超伝導デバイス中の磁束検出(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
• ポンプ-プローブ・レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による低温成長ガリウム砒素(LT-GaAs)光伝導スイッチのキャリアダイナミクスに関する研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 26pEE-15 高温超伝導体La_Eu_ySr_xCuO_4のスピン電荷ストライプ秩序相におけるテラヘルツ領域の電荷応答(26pEE 銅酸化物2(スペクトロスコピー・輸送特性・置換効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pGM-9 高温超伝導体La_Eu_ySr_xCuO_4のテラヘルツ領域における電荷応答(24pGM 銅酸化物(超伝導・電子状態),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• レーザー走査型2次元面テラヘルツ波放射イメージングシステム
• テラヘルツ光放射を用いたLSI故障解析
• ED2012-109 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた太陽電池評価技術の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• テラヘルツ帯液晶素子の応答速度改善及び閾値電圧の低下(バイオ,エレクトロニクス,材料,界面,その場観察,その他一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク