3-4 不良作り込みICチップを用いた走査レーザSQUID顕微鏡での故障個所絞り込み可能性の検討(セッション3 LSIの故障解析(2),第17回秋季信頼性シンポジウム)
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概要
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LSIの断線不良箇所特定を目的に、LSIに変動電界を印加してオープンゲートを活性化し、発生する電源電流変動を検出することで断線不良箇所を特定する不良解析技術の研究・開発を行っている。本報告では探査原理に基づく試行システムを作成し、断線TEG用いた試行評価を行った。その結果、TEGの最上層配線(M3)及び表層第2層配線(M2)において電源電流変動分布を確認し、本手法の技術的有効性を確認した。また電界印加距離の低減により、座標分解能の向上性を確認出来た。
- 日本信頼性学会の論文
- 2004-11-19
著者
-
二川 清
NECエレクトロニクス
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二川 清
Necエレクトロニクス株式会社 テスト評価技術開発事業部
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酒井 哲哉
Necエレクトロニクス株式会社 テスト評価技術開発事業部
-
酒井 哲哉
Necエレクトロニクス
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