レーザビームとSQUID磁束計を組み合わせた新しい非破壊・非接触チップ検査・解析技術 : 走査レーザSQUID顕微鏡
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概要
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完全非破壊・非接触でチップ上のショートやオープンなどの電気的不良個所を検出できる走査レーザSQUID顕微鏡法を考案し、装置を試作した。その構成と原理について述べた後、試作機の概要を述べた。試作機の機能をデモンストレーションするために、ゲートショートを起こしている試料を用いた。ゲートショート個所がリーク電流経路となり、ショート個所直下のp-n接合で起きるOBIC現象でリーク電流が流れ、その結果誘導された磁場で像を得ることができた。この像から、空間分解能が半値(全)幅で約1.3μm以下であることを確認した。これで、LSIチップの解析に適用可能な空間分解能に達したと言える。今回のデモンストレーションは、基板に実装した状態でベアチップ上のショート個所を検出する場合のシミュレーションになっている。最後に故障解析・不良解析ならびに工程中での検査・モニタとしての応用法について提案した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-01
著者
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