Gas-Temperature-Controlled (GTC) CVD of Aluminum and Aluminum-Silicon Alloy Film for VLSI Processing : Techniques, Instrumentations and Measurement
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1988-11-20
著者
-
Kobayashi Tsukasa
Anelva Corporation
-
HOSOKAWA Naokichi
ANELVA CORPORATION
-
SEKIGUCHI Atsushi
ANELVA Corporation
-
ASAMAKI Tatsuo
ANELVA Corporation
-
ASAMAKI Tatsuo
Department of Electrical Engineering, Science University of Tokyo
-
Asamaki T
Tokyo Univ. Sci. Tokyo Jpn
-
Hosokawa N
Anelva Corp. Tokyo Jpn
-
Sekiguchi A
Anelva Corp. Tokyo Jpn
-
Sekiguchi Atsushi
ANELVA CORP., Yotsuya 5-8-1, Fuchu 183-8508, Japan
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