SrTiO_3高誘電率薄膜のRFスパッタリング法による作製

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概要

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SrTiO_3はLSI中で使用される高誘電率材料として検討されている。室温でバルクの比誘電率が約300と大きく、薄膜でバルクに近い誘電率を持つように研究が行われている。本研究では、RFスパッタリング法によってp型Si(100)基板上にSrTiO_3薄膜を作製した。250℃〜400℃の間で膜を作製し、全ての膜が多結晶性を示した。Si基板上にPt層を介して堆積した膜の誘電率は最大で180であった。さらに、600℃でアニーリングを行うと、結晶性の改善がみられ、X線回折線半値幅は0.6程度であった。しかし、絶縁抵抗値は、アニーリング前で10^14>Ωcm程度であり、アリーリング後、5×10^12>Ωcm程度の膜が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-01-28

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