PECVD法による多結晶シリコン薄膜成長と楕円偏光分光法による評価
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概要
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陰極高周波グロー放電法によりポリシリコン薄膜を作製し,その微晶質構造をX線回折と楕円偏光分光法により評価した.堆積した薄膜の組成は出力密度0.8Wcm^-2>以上の領域と基盤温度400℃以上の領域でそれらに強く影響されることがわかった.薄膜の電気特性においても同様な傾向が見られるが,これは薄膜の結晶相の変化に対応するものと考えられる.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
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