半導体集積回路のアルミニウム配線におけるストレスマイグレーション現象の初期過程
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概要
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アルミニウム配線におけるストレスマイグレーション現象の初期過程を、高温放置における抵抗率の変動と応力の測定、及び、粒界の観察により解析した。その結果、ストレスマイグレーション現象の初期状態は、放置温度と時間によって著しく異なった特性を示す事が明らかになった。この特性の違いは、再結晶化による粒径の拡大あるいは転位の減少と、粒界の拡張(micro-gap)あるいは転位のpile-upに起因している。本研究では、これらの現象が競合する事により、ストレスマイグレーション現象の初期過程が変化するメカニズムを提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-15
著者
-
浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
青柳 稔
東京大学工学系研究科電子工学専攻:東京大学vlsi設計教育研究センター
-
青柳 稔
東京大学大学院工学系研究科
-
浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科
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