微細素子のパラメータばらつきによる耐タンパーLSIの劣化と対策(情報通信基礎サブソサイエティ合同研究会)
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概要
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電力解析・電磁界解析の対策として固有電力消費アーキテクチャによる耐タンパーLSIが提案されている.これら耐タンパーLSIにおいてもトランジスタのしきい値ばらつきによるアンバランスが新たなサイドチャネルとなりLSI自身の耐タンパー性が劣化することを提言する.この提言に基づき,素子ばらつきを考慮した耐タンパーLSIへの電磁界解析手法を提案した.実際に耐タンパーLSI相当回路に解析シミュレーションを行い,提案解析手法の有効性を確認した.さらに,対策手法や今後の微細プロセスにおける脆弱性変化の見通しも調査した.
- 2006-03-09
著者
-
浅田 邦博
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
浅田 邦博
東京大学 大学院 工学系研究科
-
浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
浅田 邦博
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター(vdec):東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
山内 裕史
東京大学大学院工学系研究科
-
浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科
-
池田 誠
東京大学大学院工学系研究科
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